特大喜讯：华为芯片突破后，中国光刻机重大突破
根据现在披露的消息，清华的EUV光刻机方案与荷兰ASML的光刻机方案完全不同。有网友打了个比喻，如果把ASML的光刻机比作电池的话，那么清华的EUV光刻机方案就是直接从电厂扯一根电线。ASML的光刻机的特点是体积小，便于运输，可以在全球范围内使用。清华的方案则不同，其体积非常庞大，完全无法搬动，形象点说就是一座EUV的光刻厂。再形象点比喻，ASML的光刻机就是一台打印机，而清华的EUV光刻机方案则是一座印刷厂。说白了，就是造一座能发极紫外光的大型工厂。
早期的极紫外光就是靠大型电子加速器的，这次清华团队把加速器再次请出来，采用将加速器的同步辐射与自由电子激光结合起来，就输出了单色性极好的EUV极紫外光。说白了，ASML的光刻机是产品，而清华的方案直接当成基础设施来建设，造一个超大型的SSMB光源，可以产生不同波长的光束，然后通过加速器储存环筛选出不同的光束。这种模式，生产效率当然会非常高，因为它同时可以获得不同波长的极紫外光，于是一条生产线上就能同时光刻3nm、5nm、7nm、14nm、28nm等不同制程的芯片，你只要去找对应的光束就能光刻出对应制程的芯片。网友称这个方案是“大力出奇迹”。
那么，现在项目进展如何了呢？根据媒体的披露，该论文早在2021年2月就已经在世界顶级学术期刊《Nature》上发表了，而项目在今年2月也已经在雄安新区落地。中国把这件事当成了国家重大科技基础设施来建设
当然，具体这个项目到底什么时候能具备现实生产能力还不知道，因为项目也才是刚刚落地，建设需要多久，建设后调试需要多久，到底能具备多大的产能，以及如何根据成果进行产业化，这些都还有很长的路要走。但是，既然理论上成立，那么只要需要，就能“大力出奇迹”，中国就能建设出来，那么距离实践应用就不会太远。
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