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内存芯片产值2018年将破1000亿美元，中国开始起航

中国国家存储器基地位于武汉光谷 。存储器芯片市场是全球垄断最为严重的芯片细分市场，DRAM和NANDFLASH芯片市场长期被韩国美日垄断，尤其以韩国三星、SKHynix两家为首，共占据了DRAM市场和NANDFLASH市场70%和50%的市场份额。中国于2013年发布了自主研发的55纳米相变存储芯片，成为继美国和韩国后，全球第三个掌握相变存储技术的国家。

现在，中国国家存储基地的一期工程已经封顶，今年将进行中小规模的试产和量产，争取在2019年进行大规模的生产，填补中国在存储产业领域的空白。一期工程量产规模将达到30万片/月的产能。年产值超过100亿美元。可以预见，随着我国存储芯片产业的发展，我国在存储芯片领域将有可能复制京东方模式。除了长江存储外，我国还有合肥长鑫、福建晋华两家存储器厂商，从2018年开始，它们都要动真格了。

预计，未来两年手机或用上国产存储芯片

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