存储芯片突破！中国芯创新高，芯片突围或逆转
美国在芯片上对中国卡脖子，给中国企业的发展带来了非常多的困难。但是也正是因为美国的打压，促使中国在芯片领域内开始全力发展。
从世界上各大主流的存储芯片制造厂商的进展上看，他们基本上实现了128层NAND存储芯片的量产，产品上市的时间预计在2020年。
长江存储在192层3DNAND存储工艺既然已经研制成功，预计将会在明年的六月份实现量产。从目前长江存储的水平来看，至少追赶上了世界的主流水平。
芯片的制造过程是一个非常复杂的过程，但是中国在不断努力，虽然长江存储所取得成就在芯片研制上是一小步，但是在中国的不断努力之下，中国终将会在芯片领域取得突破。
大家都在看
2024-11-25 18:59:44
2024-11-25 18:55:05
2024-11-25 18:57:51
2024-11-25 10:28:22
2024-11-25 21:46:38
2024-11-25 10:43:33
2024-11-25 21:43:01
2024-11-25 21:18:18
2024-11-25 10:27:03
2024-11-25 21:13:36
2024-11-25 21:05:02
2024-11-25 10:47:17
2024-11-25 10:34:42
2024-11-25 10:30:21
2024-11-25 10:32:00
2024-11-25 10:36:01
2024-11-25 10:41:07
2024-11-25 10:39:10
2024-11-24 21:49:37
2024-11-24 21:56:13
2024-11-24 22:06:46
2024-11-24 21:51:06
2024-11-24 21:58:42
2024-11-24 22:03:28
2024-11-24 21:53:20