存储芯片突破！中国芯创新高，芯片突围或逆转
美国在芯片上对中国卡脖子，给中国企业的发展带来了非常多的困难。但是也正是因为美国的打压，促使中国在芯片领域内开始全力发展。
从世界上各大主流的存储芯片制造厂商的进展上看，他们基本上实现了128层NAND存储芯片的量产，产品上市的时间预计在2020年。
长江存储在192层3DNAND存储工艺既然已经研制成功，预计将会在明年的六月份实现量产。从目前长江存储的水平来看，至少追赶上了世界的主流水平。
芯片的制造过程是一个非常复杂的过程，但是中国在不断努力，虽然长江存储所取得成就在芯片研制上是一小步，但是在中国的不断努力之下，中国终将会在芯片领域取得突破。
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