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存储芯片突破!中国芯创新高,芯片突围或逆转

美国在芯片上对中国卡脖子,给中国企业的发展带来了非常多的困难。但是也正是因为美国的打压,促使中国在芯片领域内开始全力发展。

从世界上各大主流的存储芯片制造厂商的进展上看,他们基本上实现了128层NAND存储芯片的量产,产品上市的时间预计在2020年。

长江存储在192层3DNAND存储工艺既然已经研制成功,预计将会在明年的六月份实现量产。从目前长江存储的水平来看,至少追赶上了世界的主流水平。

芯片的制造过程是一个非常复杂的过程,但是中国在不断努力,虽然长江存储所取得成就在芯片研制上是一小步,但是在中国的不断努力之下,中国终将会在芯片领域取得突破。

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