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中国发展半导体能“弯道超车”?误会有点大了

按工艺代数算,5nm差不多比14nm领先三代,而14nm又比40nm领先三代。从40nm进步到14nm,CPU和GPU的主要频率都增加了大约1倍(当然这主要是因为设计上的进步)。

照这么算,新材料芯片同进程最多比硅芯片快50%。当然这是很大的优势,但是考虑到新材料芯片的设计、制造和生态都很不成熟。仅仅快一点,是扭转不了现有的半导体产业几十年发展所产生的惯性的。

还有一种误会是,中国产业真的取得了新的突破,但新技术的潜力被宣传夸大了,成为又一被“弯道超车”的对象。

其中最典型的莫过于2018年“自主研发22nm光刻机”事件,2018年12月1日,《解放军报》报道了中科院光电所可加工22nm芯片的“‘超分辨光刻装备项目’通过国家验收”,很快引发了网络社区的狂欢,似乎中国自主生产高性能光刻机已经近在咫尺了。

事实是,这主要是一个生产光电芯片的超分辨率光刻镜头,在11月30日凌晨央视13频道的《午夜新闻栏目》中,该项目副总设计师胡松就说到该设备可以加工10毫米乘10毫米范围的芯片。

10毫米乘10毫米,也就是100平方毫米,这已经大于大部分手机芯片的大小了。但是对于更高等级的芯片,比如说电脑CPU、GPU而言,这样的大小就很不够看了。

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