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中国发展半导体能“弯道超车”?误会有点大了

谈到中国半导体产业,“弯道超车”一词频繁见诸媒体。在不同语境下,“弯道超车”也有不同的含义。

有的是指中国半导体产业必须经过惊险的努力,才能超越美国领导构建的半导体产业体系,创造世界半导体的新一极。而另一些指的是通过某些特殊的技术或者机缘,中国半导体靠巧力完成超越。

后者无疑对中国的半导体正常发展不利,但又是经常看到的。早在2017年,国家集成电路产业投资基金总裁丁文武就表示:“中国芯片行业弯道超车的策略不现实,弯道超车的前提是大家在同一起跑线上”。但是华为被断供之后,铺天盖地的“弯道超车”又卷土重来。

在这里,笔者梳理了一些常见的“弯道超车”误会,希望我们能坚定决心踏实发展,破除美国在相关领域的垄断和封锁。

高估新技术潜力 芯片产业化没这么简单

传统的芯片使用的半导体基础材料是硅。其他的材料做芯片,尤其是一些新材料,在某些性能上会比传统芯片好得多。

美国国防高级研究计划局的电子复兴计划曾经拨款6100万美国给麻省理工学院的Max Shulaker教授团队,用于研究碳纳米管3D芯片。Max教授2013年认为:“与传统晶体管相比,碳纳米管体积更小,传导性也更强,并且能够支持快速开关,因此其性能和能耗表现也远远好于传统硅材料”。

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